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苏州纳维科技有限公司 氮化镓材料 GaN厚膜衬底 氮化镓自支撑衬底

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地 址: 江苏省苏州市工业园区
独墅湖高教区星湖街
218号生物纳米科技园
A7-101
邮 编: 215125
电 话: (+86)-512-62868988
传 真: (+86)-512-62868158
邮 箱: [email protected]
网 址: www.nanowin.com.cn









 
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工商信息
公司名称: 苏州纳维科技有限公司
注册号: 320594000005085
成立时间: 2007-05-25 营业期限: 2007-05-25至2037-05-24
法人: 徐科 机构代码: 661778776
联系方式: 0512-69561962 官方网址: http://www.nanowin.com.cn
公司类型: 有限责任公司 注册资本: 4097.54万元人民币
登记机关: 苏州工业园区市场监督管理局 省份: js
注册地址: 苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号 信用代码: 913205946617787769
核准时间: 2016-08-08
 
图说企业/供应说明(点击下面红色公司名称进入企业官网)
苏州纳维科技有限公司创立于2007年,以中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所为技术依托,立足于设备的自主研发,专注于从事高质量、大尺寸氮化物材料的生长与产品开发,为产业界和研发机构提供各类氮化镓材料,目前公司拥有核心技术专利三十余项,是中国首家氮化镓衬底晶片供应商。
目前公司针对企业、高校和研究所的不同用户,主要提供如下产品:一、15~50微米厚度的2英寸GaN厚膜衬底(GaN/sapphire),位错密度为107/cm2量级,分为n型掺杂、非掺杂和半绝缘三种类型;二、2英寸氮化镓自支撑衬底(free-standing GaN substrate),厚度约0.3mm,位错腐蚀坑密度为106/cm2量级,分为n型掺杂、非掺杂和半绝缘三种类型;三、小尺寸方形(边长5mm~20mm)氮化镓衬底,位错腐蚀坑密度为106/cm2量级,分为n型掺杂、非掺杂和半绝缘三种类型,单面或者双面抛光;四、小尺寸非极性面氮化镓衬底,a面或者m面;五、高结晶度氮化镓粉体材料;六、氮化铝衬底。
 苏州纳维将立足于材料生长技术和设备的持续创新,努力在新一代显示、节能照明、微波通讯、电力电子、医学成像等产业领域为下游客户带来核心价值。

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